近日，美國美光半導(dǎo)體國際有限公司封裝測試項目獲國家發(fā)展改革委核準，由該公司在西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)設(shè)立的外商獨資企業(yè)建設(shè)經(jīng)營。項目分兩期建設(shè)。一期工程建成后，生產(chǎn)能力為非標準DRAM芯片1億片/年、閃存5000萬塊/年、CMOCS影像傳感器1000萬塊/年、DRAM模塊300萬塊/年；二期工程建成后，新增標準DRAM芯片2.37億片/年的封裝測試能力。項目總投資2.5億美元。項目經(jīng)營期限50年。