科學家發(fā)現(xiàn)一普適通用的制造高分子納米線陣列的新方法。這些納米線陣列可廣泛應用于不同的器件，并對高分子材料的發(fā)展起到重要的推動作用。這一生長及其控制方法發(fā)表于《先進材料》（Advanced Materials，2009，21，2072）和《物理化學雜志C》（Journal of Physical Chemistry C，2009，113，16571）.
 
      無機半導體納米材料一直是人們研究的熱點，并取得了巨大的成功。然而，有機材料的相關研究則相當缺乏并面臨種種困難。人們企圖用模板合成高分子納米線，但納米線從模板中分離相當困難，并且分離后納米線的取向也不能保持。
 
      美國佐治亞理工學院（Georgia Institute of Technology）王中林教授的研究小組利用感應耦合等離子（ICP）刻蝕發(fā)現(xiàn)了一種普適的制造高分子納米線陣列制備的方法。在ICP刻蝕高分子材料的過程中，刻蝕離子周圍圓錐狀的有效作用范圍和不均一表面的相互影響最終導致了高分子納米線的形成。該小組已經(jīng)用這一方法生長出導電聚合物聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸（PEDOT-PSS），導電聚吡咯（PPY），感光性材料SU8，電子感光材料PMMA，壓電材料PVDF，廉價塑料材料聚苯乙烯（PS），光電材料MEH-PPV等近十種不同的高分子納米線/納米管，并且能夠實現(xiàn)晶圓級的生長。通過濺射沉積的金屬納米顆粒的局域屏保作用，王教授小組能夠很好地控制高分子納米線的密度和長度。王教授小組更進一步利用PEDOT-PSS制備出有機發(fā)光二極管。納米線陣列具有很高的比表面積，這也極大地提高了器件的電流承載能力（基于PEDOT-PSS納米線陣列的有機發(fā)光二極管的最大承載電流密度是相應有機薄膜發(fā)光二極管的40倍）。
 
      這一最新制備方法可以實現(xiàn)廉價、便捷、大規(guī)模高分子納米線陣列的生長，并且對其生長的圖形、密度、長度實現(xiàn)控制。這些可控高分子納米線可用于柔性電子器件，有機發(fā)光二極管（OLED），有機太陽能電池，生物傳感器，以及合成肌肉，從而對高分子材料的進一步發(fā)展和應用產(chǎn)生重要影響。