Vishay Intertechnology, Inc.目前推出采用Bulk Metal箔技術(shù)制造的多款表面貼裝電阻，以實現(xiàn)最高端領(lǐng)域?qū)ζ骷呖煽啃院透叻€(wěn)定性的嚴苛要求。這次發(fā)布的器件中，包括新改進的VSMP(0805 至 2512)系列、及VCS1625Z和CSM2512S在內(nèi)，Vishay產(chǎn)品系列均納入各種超高精度規(guī)格和配置，以實現(xiàn)更優(yōu)異的性能。
　　在為最高端領(lǐng)域(國防及宇航)應(yīng)用選擇電阻時需要考慮多個因素，包括TCR(環(huán)境溫度)、PCR(自身散熱)、負載壽命穩(wěn)定性、報廢容限、熱電勢(EMF)和ESD等。某些精密電阻技術(shù)可為設(shè)計人員提供低至0.05%的嚴格初始容限，但需以較差的負載壽命穩(wěn)定、高報廢容限、較長的熱穩(wěn)定時間和ESD敏感度為代價。其他電阻技術(shù)可提供低TCR，但快速響應(yīng)時間長且在使用年限期間會出現(xiàn)失控的飄移。

　　Vishay的Bulk Metal箔電阻可向設(shè)計人員提供全方位的一流性能特征，通過減少所需部件的數(shù)量，同時確保更優(yōu)異的最終產(chǎn)品，并簡化電路并降低整體系統(tǒng)成本。Vishay器件在全額定功率、溫度70℃情況下工作2000小時負載壽命穩(wěn)定性最大值為0.05%。這些器件除了具有低TCR外，還具有在額定功率?±5ppm的PCR(“自身散熱產(chǎn)生的ΔR”)、0.01%的嚴格容限及<0.1μV/℃的熱電勢(EMF)。

　　考慮到使用中預(yù)期的容限退化問題，當(dāng)前的設(shè)計實踐對電阻提出更高要求。Vishay以更低的價格提供了新方案，可為需要報廢容限目標(biāo)不超過0.05%的設(shè)計人員提供合適的箔電阻。

　　此電阻采用無電感(<0.08μH)和無電容設(shè)計，并提供低值4-Kelvin連接、卷繞接頭及靈活接頭(SMRXD系列)，以確保因熱膨脹系數(shù)(TCE)差異造成的PCB最小應(yīng)力轉(zhuǎn)移。

　　其他電阻技術(shù)可在幾秒或幾分鐘內(nèi)實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)熱穩(wěn)定，而Vishay箔電阻可提供幾乎瞬時的熱穩(wěn)定時間，1.0納秒的快速響應(yīng)時間(幾乎不可測量)，且無振鈴。這些器件提供多種篩選選擇，符合 EEE-INST-002 DSCC、EPPL和MIL-PRF 55342/55182/49465標(biāo)準，適用于國防及宇航應(yīng)用，可在不尋常環(huán)境狀況下保持極小漂移。

　　Bulk Metal電阻具有極高的靜電放電抗擾度，耐受達25kV的靜電放電，實現(xiàn)更高的可靠性?？蓮?mΩ電阻值起始制造任何電阻值(如1kΩ或 1.1234 kΩ)的Vishay箔電阻，而不會增加成本或供貨時間。這些器件經(jīng)過輻射測試，并已將短時過載測試作為標(biāo)準生產(chǎn)流程的一部分。

　　這些電阻的典型應(yīng)用包括直流到直流轉(zhuǎn)換器、反饋電路以及測試和測量儀器中的精密放大器、醫(yī)療系統(tǒng)、衛(wèi)星航天系統(tǒng)、商業(yè)和軍用航空電子設(shè)備、武器系統(tǒng)、音頻系統(tǒng)及高溫系統(tǒng)(包括井下鉆井)。

　　目前，Vishay的Bulk Metal電阻可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，樣品供貨周期為72小時，而標(biāo)準訂單的供貨周期為6周。